10a05 ... 10A10 10a 05 ... 10A10 silicon rectifier diodes C silizium-gleichrichterdioden version 2013- 12 - 09 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 10 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 1000 v plastic case kunststoffgeh?use ? 8. 8 x 8 . 8 [mm] r-6 style weight approx. gewicht ca. 1.65 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] 10a05 50 50 10a1 100 100 10a2 200 200 10a4 400 400 10a6 600 600 10a8 800 800 10A10 1000 1000 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 5 0c i fav 10 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 72 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 360/400 a rating for fusing, grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 1.8 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -5 0 ...+150c -5 0 ...+150c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 9,5 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 9,5 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 type ? 1.3 0.05 ? 8.8 0.2 8 . 8 0 . 2 6 2 . 5 0 . 5
10a05 ... 10A10 characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 10 a v f < 1.0 v leakage current C sperrstrom t j = 25c t j = 100 c v r = v rrm v r = v rrm i r i r < 10 a < 10 0 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 1 4 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl < 2.8 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag peak forward su rg e cu rren t versu s n u mb er of cycles at 50 hz du rch la?-s p itzen strom in ab h. von d er zah l d er halb wellen b ei 50 hz 10 10 10 3 2 [a] ? f 3 .14 i fav i fav 1 10 10 [n ] 1 0 2 3 rated forward current versus ambient temperature zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. i fav [%] 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 10 10 10 1 10 3 2 -1 [a] i f t = 25c j t = 125c j 400a-(10a-1v)
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